ASML<\/a>, es la clave para imprimir circuitos m\u00e1s peque\u00f1os y densos. Sin embargo, Samsung considera que todav\u00eda necesita mejoras t\u00e9cnicas significativas antes de poder integrarla en su l\u00ednea de producci\u00f3n en masa. Como declar\u00f3 Park, \u201cquer\u00edamos aplicar High-NA EUV a la producci\u00f3n en masa en procesos de 2 nm y 1,4 nm, entre otros, pero todav\u00eda necesita mejoras t\u00e9cnicas\u201d.<\/p>\n\u00bfQu\u00e9 es la litograf\u00eda High-NA EUV y por qu\u00e9 no est\u00e1 lista para la producci\u00f3n?<\/h2>\n
La litograf\u00eda ultravioleta extrema (EUV) es la tecnolog\u00eda que permite grabar los patrones de los transistores en las obleas de silicio. La variante High-NA (alta apertura num\u00e9rica) representa un avance sobre los sistemas EUV convencionales, como el TWINSCAN NXE. ASML afirma que su m\u00e1quina EXE:5000 puede imprimir elementos 1,7 veces m\u00e1s peque\u00f1os y alcanzar una densidad 2,9 veces mayor. En teor\u00eda, esto permitir\u00eda fabricar chips con nodos de 2 nm, 1,4 nm e incluso inferiores con mayor precisi\u00f3n y rendimiento.<\/p>\n
Sin embargo, la teor\u00eda y la pr\u00e1ctica no siempre coinciden. Samsung ha detectado que la High-NA EUV a\u00fan no ofrece la estabilidad y repetibilidad necesarias para una producci\u00f3n continua y rentable. Los defectos, la velocidad de proceso y el coste de las m\u00e1quinas \u2014cada sistema cuesta cientos de millones de d\u00f3lares\u2014 son barreras que deben superarse. Por eso, la compa\u00f1\u00eda ha decidido no apresurarse: prefiere exprimir al m\u00e1ximo su proceso de 2 nm, mejorar los rendimientos por oblea y ganar competitividad antes de embarcarse en la siguiente generaci\u00f3n. Como se\u00f1al\u00f3 Park, \u201ccreemos que High-NA EUV ser\u00e1 necesario a partir de los 10 \u00c5 [1 nm] y por debajo, y estamos llevando a cabo desarrollos conjuntos con diversos socios\u201d.<\/p>\n
La decisi\u00f3n de Samsung implica que, en la pr\u00e1ctica, el nodo de 2 nm seguir\u00e1 siendo el m\u00e1s avanzado en producci\u00f3n durante varios a\u00f1os. Esto no es necesariamente negativo: la industria necesita tiempo para madurar cada tecnolog\u00eda y asegurar que los chips sean viables comercialmente, no solo prototipos de laboratorio.<\/p>\n
La competencia en la vanguardia: TSMC, IBM y China aprietan<\/h2>\n
El retraso de Samsung no se produce en el vac\u00edo. TSMC, el gigante taiwan\u00e9s que domina la fundici\u00f3n global, est\u00e1 fabricando ya los procesadores A20 Pro para Apple en su proceso de 2 nm, y se espera que los pr\u00f3ximos iPhone 18 Pro monten estos chips. Samsung, por su parte, ha estrenado su propio proceso de 2 nm con el Exynos 2600, el SoC que equipa el Samsung Galaxy Z Flip8. Sin embargo, la diferencia en volumen de producci\u00f3n y contratos es abismal: TSMC se lleva la mayor\u00eda de los pedidos de empresas como Apple, AMD, NVIDIA y Qualcomm.<\/p>\n
Adem\u00e1s, IBM ha logrado un hito experimental con el primer chip de menos de 1 nm, demostrando que la investigaci\u00f3n en litograf\u00eda avanza m\u00e1s r\u00e1pido que la producci\u00f3n industrial. Pero lo m\u00e1s preocupante para Samsung es la presi\u00f3n desde China. La empresa SMIC, principal fundici\u00f3n china, ha estado desarrollando tecnolog\u00eda de litograf\u00eda propia, y aunque a\u00fan est\u00e1 lejos de los 2 nm, avanza con paso firme. Seg\u00fan informes, China est\u00e1 preparando su primera gran victoria en chips con m\u00e1quinas de litograf\u00eda UVP fabricadas localmente, y no se descarta que en los pr\u00f3ximos a\u00f1os pueda alcanzar nodos avanzados, aunque parezca que no quiere. Este contexto geopol\u00edtico y competitivo hace que Samsung no pueda permitirse errores costosos con procesos inmaduros.<\/p>\n
\u00bfPor qu\u00e9 Samsung decide ralentizar su avance hacia los 1,4 nm?<\/h2>\n
La estrategia de Samsung responde a una l\u00f3gica empresarial clara. En lugar de ser el primero en llegar al nan\u00f3metro m\u00e1s peque\u00f1o, la compa\u00f1\u00eda prefiere consolidar su posici\u00f3n en 2 nm, mejorar la eficiencia de producci\u00f3n y aumentar el atractivo de su negocio de fundici\u00f3n frente a TSMC. Como explic\u00f3 ChangMin Park, antes de experimentar con High-NA EUV, Samsung necesita \u201cexplotar los 2 nm, aumentar su producci\u00f3n y mejorar el rendimiento por oblea\u201d.<\/p>\n
Este enfoque pragm\u00e1tico se justifica por varios factores. Primero, el mercado de chips de vanguardia no depende solo de la densidad de transistores; tambi\u00e9n importa el rendimiento, el consumo energ\u00e9tico, el coste y la capacidad de entrega. Segundo, los clientes de fundici\u00f3n (como Apple, Qualcomm o AMD) valoran la fiabilidad y la escalabilidad por encima de la promesa de un nodo m\u00e1s peque\u00f1o. Tercero, la inversi\u00f3n en nuevas m\u00e1quinas de litograf\u00eda es colosal, y meterlas en producci\u00f3n antes de tiempo puede generar p\u00e9rdidas millonarias.<\/p>\n
Por tanto, la decisi\u00f3n de Samsung no es un fracaso, sino una recalibraci\u00f3n estrat\u00e9gica. La compa\u00f1\u00eda apuesta por la madurez tecnol\u00f3gica antes que por la carrera de cifras. De hecho, en el sector de las memorias HBM (High Bandwidth Memory), Samsung lidera el mercado, lo que demuestra su capacidad t\u00e9cnica cuando las condiciones son adecuadas. En SoCs, sin embargo, a\u00fan debe dar un empuj\u00f3n a su cat\u00e1logo para hacerlo m\u00e1s atractivo.<\/p>\n
Implicaciones para el mercado de semiconductores: \u00bfqu\u00e9 significa este retraso?<\/h2>\n
El retraso de Samsung tiene varias consecuencias para la industria. En primer lugar, prolonga la ventaja de TSMC en el segmento de los chips m\u00e1s avanzados, al menos hasta 2029. Los clientes que busquen la m\u00e1xima densidad de transistores seguir\u00e1n acudiendo a los procesos de 2 nm de TSMC, que ya est\u00e1n en producci\u00f3n. Samsung, mientras tanto, tendr\u00e1 que esforzarse por demostrar que su nodo de 2 nm es competitivo en rendimiento y coste.<\/p>\n
En segundo lugar, la decisi\u00f3n de Samsung puede influir en el ritmo de adopci\u00f3n de la litograf\u00eda High-NA EUV. ASML depende de que sus clientes (TSMC, Samsung, Intel) integren sus m\u00e1quinas para recuperar la inversi\u00f3n en I+D. Si Samsung retrasa la compra y puesta en marcha de estos sistemas, ASML podr\u00eda ver ralentizado su crecimiento, al menos en el corto plazo. Intel, que tambi\u00e9n ha apostado por High-NA EUV, podr\u00eda verse igualmente afectada si no logra los rendimientos esperados.<\/p>\n
En tercer lugar, el retraso abre una ventana de oportunidad para la industria china. SMIC y otras fundiciones chinas, aunque todav\u00eda lejos de la vanguardia, podr\u00edan acortar distancias si Samsung y TSMC se toman un respiro. Sin embargo, las sanciones tecnol\u00f3gicas de Estados Unidos limitan el acceso de China a las m\u00e1quinas EUV m\u00e1s avanzadas, por lo que su avance ser\u00e1 gradual y probablemente se centre en nodos maduros (28 nm, 14 nm) antes que en los 2 nm.<\/p>\n
El futuro de la litograf\u00eda: \u00bfcu\u00e1ndo veremos realmente los 1,4 nm y 1 nm?<\/h2>\n
Seg\u00fan el nuevo calendario de Samsung, los 1,4 nm llegar\u00e1n en 2029, y la introducci\u00f3n de los equipos High-NA EUV junto con el salto a 1 nm se retrasa hasta 2030. Siempre que el calendario no vuelva a cambiar, que puede ocurrir. La industria de semiconductores est\u00e1 llena de promesas que se cumplen m\u00e1s tarde de lo previsto: los plazos para 7 nm, 5 nm y 3 nm tambi\u00e9n se alargaron en su momento.<\/p>\n
La pregunta clave es: \u00bfmerece la pena esperar? Para los consumidores, la diferencia entre 2 nm y 1,4 nm se traducir\u00e1 en chips m\u00e1s eficientes y potentes, pero no de forma inmediata. Los fabricantes de dispositivos m\u00f3viles, servidores y autom\u00f3viles seguir\u00e1n utilizando los nodos actuales mientras los nuevos procesos maduran. Lo que s\u00ed cambiar\u00e1 es la competitividad de Samsung: si logra que sus 2 nm sean tan buenos como los de TSMC, podr\u00e1 recuperar clientes; si no, el retraso podr\u00eda ampliar la brecha.<\/p>\n
En cualquier caso, la decisi\u00f3n de Samsung es un recordatorio de que la innovaci\u00f3n en semiconductores no es una carrera de velocidad, sino de fondo. La tecnolog\u00eda High-NA EUV promete un salto cu\u00e1ntico, pero necesita tiempo para demostrar su val\u00eda en la producci\u00f3n real. Mientras tanto, la industria seguir\u00e1 exprimiendo los 2 nm, y los 1,4 nm quedar\u00e1n como una meta para el final de la d\u00e9cada.<\/p>\n
La imagen de portada es de Iv\u00e1n Linares. Samsung ha retrasado su nodo de 1,4 nan\u00f3metros de 2027 a 2029 debido a la falta de madurez de la litograf\u00eda High-NA EUV, seg\u00fan confirm\u00f3 el vicepresidente de tecnolog\u00eda de Samsung Electronics, ChangMin Park, durante la conferencia NGL 2026. Este ajuste estrat\u00e9gico busca priorizar la mejora de rendimientos en 2 nm antes de asumir los riesgos de una nueva tecnolog\u00eda de litograf\u00eda.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
La carrera por la miniaturizaci\u00f3n en la fabricaci\u00f3n de semiconductores acaba de sufrir un importante reajuste. Samsung, uno de los actores principales en la fundici\u00f3n de chips de vanguardia, ha anunciado que su nodo de 1,4 nan\u00f3metros no llegar\u00e1 hasta 2029, dos a\u00f1os m\u00e1s tarde de lo previsto inicialmente. Este retraso, que se produce en […]<\/p>\n","protected":false},"author":2,"featured_media":66251,"comment_status":"closed","ping_status":"","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"fifu_image_url":"https:\/\/raw.githubusercontent.com\/medeiroslima\/overcentral-images\/main\/images\/ocie_1786722875243.jpg","fifu_image_alt":"Samsung retrasa a 2029 su nodo de 1,4 nan\u00f3metros","footnotes":""},"categories":[5],"tags":[],"class_list":["post-66248","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","category-tecnologia"],"fifu_image_url":"https:\/\/raw.githubusercontent.com\/medeiroslima\/overcentral-images\/main\/images\/ocie_1786722875243.jpg","fifu_image_alt":"Samsung retrasa a 2029 su nodo de 1,4 nan\u00f3metros","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/66248","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=66248"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/66248\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":66250,"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/66248\/revisions\/66250"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/66251"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=66248"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=66248"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/overcentral.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=66248"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}