La carrera por la miniaturización en la fabricación de semiconductores acaba de sufrir un importante reajuste. Samsung, uno de los actores principales en la fundición de chips de vanguardia, ha anunciado que su nodo de 1,4 nanómetros no llegará hasta 2029, dos años más tarde de lo previsto inicialmente. Este retraso, que se produce en un momento de máxima competencia con TSMC, Intel y la emergente industria china, refleja las dificultades técnicas que plantea el salto a la litografía de última generación y la necesidad de consolidar los procesos actuales antes de dar el siguiente paso.
El calendario original de Samsung para 1,4 nm y el desplazamiento a 2029
En 2024, Samsung presentó un ambicioso plan de ruta para su negocio de fundición. En aquel entonces, la compañía surcoreana prometía tener listo el proceso de 1,4 nanómetros para 2027, con la intención de adelantarse a TSMC y recuperar terreno en el segmento de los chips más avanzados. Sin embargo, dos años después, ese calendario ha quedado obsoleto. Durante la conferencia Next-Generation Lithography + Patterning 2026 (NGL 2026), celebrada en Corea del Sur, ChangMin Park, vicepresidente de tecnología en Samsung Electronics, confirmó que el nodo de 1,4 nm se retrasa hasta 2029 y que la introducción de la tecnología High-NA EUV no se producirá hasta 2030, con el salto a 1 nm.
Este cambio de plazos no es un simple ajuste administrativo; responde a problemas reales en la madurez de las herramientas de litografía. La tecnología High-NA EUV, desarrollada por la empresa neerlandesa ASML, es la clave para imprimir circuitos más pequeños y densos. Sin embargo, Samsung considera que todavía necesita mejoras técnicas significativas antes de poder integrarla en su línea de producción en masa. Como declaró Park, “queríamos aplicar High-NA EUV a la producción en masa en procesos de 2 nm y 1,4 nm, entre otros, pero todavía necesita mejoras técnicas”.
¿Qué es la litografía High-NA EUV y por qué no está lista para la producción?
La litografía ultravioleta extrema (EUV) es la tecnología que permite grabar los patrones de los transistores en las obleas de silicio. La variante High-NA (alta apertura numérica) representa un avance sobre los sistemas EUV convencionales, como el TWINSCAN NXE. ASML afirma que su máquina EXE:5000 puede imprimir elementos 1,7 veces más pequeños y alcanzar una densidad 2,9 veces mayor. En teoría, esto permitiría fabricar chips con nodos de 2 nm, 1,4 nm e incluso inferiores con mayor precisión y rendimiento.
Sin embargo, la teoría y la práctica no siempre coinciden. Samsung ha detectado que la High-NA EUV aún no ofrece la estabilidad y repetibilidad necesarias para una producción continua y rentable. Los defectos, la velocidad de proceso y el coste de las máquinas —cada sistema cuesta cientos de millones de dólares— son barreras que deben superarse. Por eso, la compañía ha decidido no apresurarse: prefiere exprimir al máximo su proceso de 2 nm, mejorar los rendimientos por oblea y ganar competitividad antes de embarcarse en la siguiente generación. Como señaló Park, “creemos que High-NA EUV será necesario a partir de los 10 Å [1 nm] y por debajo, y estamos llevando a cabo desarrollos conjuntos con diversos socios”.
La decisión de Samsung implica que, en la práctica, el nodo de 2 nm seguirá siendo el más avanzado en producción durante varios años. Esto no es necesariamente negativo: la industria necesita tiempo para madurar cada tecnología y asegurar que los chips sean viables comercialmente, no solo prototipos de laboratorio.
La competencia en la vanguardia: TSMC, IBM y China aprietan
El retraso de Samsung no se produce en el vacío. TSMC, el gigante taiwanés que domina la fundición global, está fabricando ya los procesadores A20 Pro para Apple en su proceso de 2 nm, y se espera que los próximos iPhone 18 Pro monten estos chips. Samsung, por su parte, ha estrenado su propio proceso de 2 nm con el Exynos 2600, el SoC que equipa el Samsung Galaxy Z Flip8. Sin embargo, la diferencia en volumen de producción y contratos es abismal: TSMC se lleva la mayoría de los pedidos de empresas como Apple, AMD, NVIDIA y Qualcomm.
Además, IBM ha logrado un hito experimental con el primer chip de menos de 1 nm, demostrando que la investigación en litografía avanza más rápido que la producción industrial. Pero lo más preocupante para Samsung es la presión desde China. La empresa SMIC, principal fundición china, ha estado desarrollando tecnología de litografía propia, y aunque aún está lejos de los 2 nm, avanza con paso firme. Según informes, China está preparando su primera gran victoria en chips con máquinas de litografía UVP fabricadas localmente, y no se descarta que en los próximos años pueda alcanzar nodos avanzados, aunque parezca que no quiere. Este contexto geopolítico y competitivo hace que Samsung no pueda permitirse errores costosos con procesos inmaduros.
¿Por qué Samsung decide ralentizar su avance hacia los 1,4 nm?
La estrategia de Samsung responde a una lógica empresarial clara. En lugar de ser el primero en llegar al nanómetro más pequeño, la compañía prefiere consolidar su posición en 2 nm, mejorar la eficiencia de producción y aumentar el atractivo de su negocio de fundición frente a TSMC. Como explicó ChangMin Park, antes de experimentar con High-NA EUV, Samsung necesita “explotar los 2 nm, aumentar su producción y mejorar el rendimiento por oblea”.
Este enfoque pragmático se justifica por varios factores. Primero, el mercado de chips de vanguardia no depende solo de la densidad de transistores; también importa el rendimiento, el consumo energético, el coste y la capacidad de entrega. Segundo, los clientes de fundición (como Apple, Qualcomm o AMD) valoran la fiabilidad y la escalabilidad por encima de la promesa de un nodo más pequeño. Tercero, la inversión en nuevas máquinas de litografía es colosal, y meterlas en producción antes de tiempo puede generar pérdidas millonarias.
Por tanto, la decisión de Samsung no es un fracaso, sino una recalibración estratégica. La compañía apuesta por la madurez tecnológica antes que por la carrera de cifras. De hecho, en el sector de las memorias HBM (High Bandwidth Memory), Samsung lidera el mercado, lo que demuestra su capacidad técnica cuando las condiciones son adecuadas. En SoCs, sin embargo, aún debe dar un empujón a su catálogo para hacerlo más atractivo.
Implicaciones para el mercado de semiconductores: ¿qué significa este retraso?
El retraso de Samsung tiene varias consecuencias para la industria. En primer lugar, prolonga la ventaja de TSMC en el segmento de los chips más avanzados, al menos hasta 2029. Los clientes que busquen la máxima densidad de transistores seguirán acudiendo a los procesos de 2 nm de TSMC, que ya están en producción. Samsung, mientras tanto, tendrá que esforzarse por demostrar que su nodo de 2 nm es competitivo en rendimiento y coste.
En segundo lugar, la decisión de Samsung puede influir en el ritmo de adopción de la litografía High-NA EUV. ASML depende de que sus clientes (TSMC, Samsung, Intel) integren sus máquinas para recuperar la inversión en I+D. Si Samsung retrasa la compra y puesta en marcha de estos sistemas, ASML podría ver ralentizado su crecimiento, al menos en el corto plazo. Intel, que también ha apostado por High-NA EUV, podría verse igualmente afectada si no logra los rendimientos esperados.
En tercer lugar, el retraso abre una ventana de oportunidad para la industria china. SMIC y otras fundiciones chinas, aunque todavía lejos de la vanguardia, podrían acortar distancias si Samsung y TSMC se toman un respiro. Sin embargo, las sanciones tecnológicas de Estados Unidos limitan el acceso de China a las máquinas EUV más avanzadas, por lo que su avance será gradual y probablemente se centre en nodos maduros (28 nm, 14 nm) antes que en los 2 nm.
El futuro de la litografía: ¿cuándo veremos realmente los 1,4 nm y 1 nm?
Según el nuevo calendario de Samsung, los 1,4 nm llegarán en 2029, y la introducción de los equipos High-NA EUV junto con el salto a 1 nm se retrasa hasta 2030. Siempre que el calendario no vuelva a cambiar, que puede ocurrir. La industria de semiconductores está llena de promesas que se cumplen más tarde de lo previsto: los plazos para 7 nm, 5 nm y 3 nm también se alargaron en su momento.
La pregunta clave es: ¿merece la pena esperar? Para los consumidores, la diferencia entre 2 nm y 1,4 nm se traducirá en chips más eficientes y potentes, pero no de forma inmediata. Los fabricantes de dispositivos móviles, servidores y automóviles seguirán utilizando los nodos actuales mientras los nuevos procesos maduran. Lo que sí cambiará es la competitividad de Samsung: si logra que sus 2 nm sean tan buenos como los de TSMC, podrá recuperar clientes; si no, el retraso podría ampliar la brecha.
En cualquier caso, la decisión de Samsung es un recordatorio de que la innovación en semiconductores no es una carrera de velocidad, sino de fondo. La tecnología High-NA EUV promete un salto cuántico, pero necesita tiempo para demostrar su valía en la producción real. Mientras tanto, la industria seguirá exprimiendo los 2 nm, y los 1,4 nm quedarán como una meta para el final de la década.
La imagen de portada es de Iván Linares. Samsung ha retrasado su nodo de 1,4 nanómetros de 2027 a 2029 debido a la falta de madurez de la litografía High-NA EUV, según confirmó el vicepresidente de tecnología de Samsung Electronics, ChangMin Park, durante la conferencia NGL 2026. Este ajuste estratégico busca priorizar la mejora de rendimientos en 2 nm antes de asumir los riesgos de una nueva tecnología de litografía.
